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Memória de 4GB DIMM DDR3 1600Mhz 1,5V 1Rx8 para desktop

As vendas da Awi são realizadas exclusivamente mediante orçamento e destinadas a empresas com CNPJ ativo

Descrição

Códigos de memórias equivalentes:

Dell: 0A65729; A7398800
HP: 655410-150; 671613-001; 698650-154; 698650-D3N; B4U36AT
Lenovo: 0A65729; 888015710

INFORMAÇÕES DO PRODUTO

Tipo: Memória Proprietária
Fabricante: Kingston Technology
Categoria: Memórias
Código de Produto: Código UPC Peso do Produto Peso do Produto

no Blister

Dimensões da embalagem do produto (larg. x alt. espessura) Dimensões da caixa

(larg. x alt. espessura)

KCP316NS8/4 740617253689 17,60g 28,58g 7,62 x 45,72 x 161,29mm 206,51 x 184,15 x 55mm
KCP316ND8/8 740617253696 17,60g 28,58g 7,62 x 45,72 x 161,29mm 206,51 x 184,15 x 55mm
Descrição: As Memórias KCP da Kingston são projetadas para garantir 100% de compatibilidade com sistemas especificos. Além disso são produzidas somente com componentes da mais alta

qualidade e todos os módulos são testados antes de sair da fábrica, o que garante o máximo de desempenho com a reconhecida confiabilidade da Kingston e reforçada pela garantia vitalícia.

Descrição

Resumida:

A memória proprietária da Kingston® para notebook é projetada para garantir 100% de

compatibilidade com sistemas específicos.

Destaques: Compatível com: Apple, Dell, HP, Lenovo, Toshiba, ASUS, Acer e outros. Para consultar

compatibilidade com seu sistema consulte o configurador de memória: http://www.kingston.com/br/memory/search/options/

Capacidades: 4GB e 8GB
Velocidades da

Frequência:

1600MHz
Cor: padrão
Garantia: Vitalícia
Suporte Técnico

Local:

Gratuito. 0800 810 5464
Características / Benefícios: DDR3

Tensão 1,5V

VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)

800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin 8 bancos internos independentes

Latência CAS Programável: 11, 10, 9, 8, 7, 6

Latência programável adicional: 0, CL – 2, ou CL – 1 clock 8-bit pre-fetch

Burst Length: 8, 4 com tCCD = 4

Bi-directional Differential Data Strobe

Internal(self) calibration : Internal self-calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)

On Die Termination using ODT pin

Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C

< TCASE < 95°C

Reset assíncrono

PCB: Altura 1.18” (30mm), componentes em ambos os lados

Especificações: CL(IDD) 11 ciclos

Row Cycle Time (tRCmin) 48.125ns (mín.)

Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.)

 

  Row Active Time (tRASmin) 35ns (min.) Consumo máximo de energia (1.35V)= 2.376 W* UL Rating 94 V – 0

Temperatura de Operação 0oC a 85oC Temperatura de Armazenamento -55oC a +100oC

*O consumo de energia irá variar de acordo com a memória RAM em uso

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