INFORMAÇÕES DO PRODUTO

Tipo:

Memória Proprietária

Fabricante:

Kingston Technology

Categoria:

Memórias

Código de Produto:

Código UPC

Peso do Produto

Peso do Produto no Blister

Dimensões do Produto

(larg. x alt. x espessura)

Dimensões do Produto na embalagem

(larg. x alt. x espessura)

KTL-TS426E/16G

17,6g

56,2g

133,35 x 31,25 x 2,1

184,1 x 129,54 x 14

Descrição:

As Memórias KTL da Kingston são projetadas para garantir 100% de compatibilidade com sistemas especificos. Além disso são produzidas somente com componentes da mais alta qualidade e todos os módulos são testados antes de sair da fábrica, o que garante o máximo de desempenho com a reconhecida confiabilidade da Kingston, reforçada pela garantia vitalícia destes produtos.

Descrição Resumida:

A memória  proprietária da Kingston® para notebook é projetada para garantir 100% de compatibilidade com  sistemas específicos.

Destaques:

Compatível com: Lenovo.

Para consultar compatibilidade com seu sistema consulte o configurador de memória: http://www.kingston.com/br/memory/search/options/

Capacidade:

16GB

Velocidade da Frequência:

2666MHz

Cor:

Padrão

Garantia:

Vitalícia

Suporte Técnico Local:

Gratuito. 0800 810 5464

Preço Revenda:

Campo a ser preenchido pelo distribuidor

Características / Benefícios:

DDR4

VDD = 1,2V Típico

VPP = 2,5V Típico

VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V

Terminais nominais e dinâmicos no DIE (ODT) para dados, oscilação e máscara de sinais

Auto-atualização de baixa potência (LPASR)

Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados

Geração e calibração VREFDQ no DIE

Single-Rank

EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2

16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada

Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)

BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)

Topologia fly-by

Comando de controle e barramento de endereços

PCB: Altura 1,23” (31,25 mm)

Em conformidade com RoHS e sem halogênios

Especificações:

CL(IDD) 19 ciclos

Row Cycle Time (tRCmin) 46,16ns (min.)

Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)

Row Active Time (tRASmin) 32ns (min.)

Consumo (operando) TBD W*

UL Rating 94 V - 0

Temperatura de Operação 0^oC a +85^oC

Temperatura de Armazenamento -55^oC a +100^oC

*O consumo de energia irá variar de acordo com o uso da memória RAM.