Memória de 4GB DIMM DDR3 1600Mhz 1,5V 1Rx8 para desktop

Tipo:

Memória Proprietária

Fabricante:

Kingston Technology

Categoria:

Memórias

Código de Produto:

Código UPC

Peso do Produto

Peso do Produto

no Blister

Dimensões da embalagem do produto (larg. x alt. espessura)

Dimensões da caixa

(larg. x alt. espessura)

KCP316NS8/4

740617253689

17,60g

28,58g

7,62 x 45,72 x 161,29mm

206,51 x 184,15 x 55mm

KCP316ND8/8

740617253696

17,60g

28,58g

7,62 x 45,72 x 161,29mm

206,51 x 184,15 x 55mm

Descrição:

As Memórias KCP da Kingston são projetadas para garantir 100% de compatibilidade com sistemas especificos. Além disso são produzidas somente com componentes da mais alta

qualidade e todos os módulos são testados antes de sair da fábrica, o que garante o máximo de desempenho com a reconhecida confiabilidade da Kingston e reforçada pela garantia vitalícia.

Descrição

Resumida:

A memória proprietária da Kingston® para notebook é projetada para garantir 100% de

compatibilidade com sistemas específicos.

Destaques:

Compatível com: Apple, Dell, HP, Lenovo, Toshiba, ASUS, Acer e outros. Para consultar

compatibilidade com seu sistema consulte o configurador de memória: http://www.kingston.com/br/memory/search/options/

Capacidades:

4GB e 8GB

Velocidades da

Frequência:

1600MHz

Cor:

padrão

Garantia:

Vitalícia

Suporte Técnico

Local:

Gratuito. 0800 810 5464

Características / Benefícios:

DDR3

Tensão 1,5V

VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)

800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin 8 bancos internos independentes

Latência CAS Programável: 11, 10, 9, 8, 7, 6

Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock 8-bit pre-fetch

Burst Length: 8, 4 com tCCD = 4

Bi-directional Differential Data Strobe

Internal(self) calibration : Internal self-calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)

On Die Termination using ODT pin

Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C

< TCASE < 95°C

Reset assíncrono

PCB: Altura 1.18” (30mm), componentes em ambos os lados

Especificações:

CL(IDD) 11 ciclos

Row Cycle Time (tRCmin) 48.125ns (mín.)

Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.)

Row Active Time (tRASmin) 35ns (min.) Consumo máximo de energia (1.35V)= 2.376 W* UL Rating 94 V - 0

Temperatura de Operação 0^oC a 85^oC Temperatura de Armazenamento -55^oC a +100^oC

*O consumo de energia irá variar de acordo com a memória RAM em uso.