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DDR3
Tensão 1,5V
VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin 8 bancos internos independentes
Latência CAS Programável: 11, 10, 9, 8, 7, 6
Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock 8-bit pre-fetch
Burst Length: 8, 4 com tCCD = 4
Bi-directional Differential Data Strobe
Internal(self) calibration : Internal self-calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)
On Die Termination using ODT pin
Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C
< TCASE < 95°C
Reset assíncrono
PCB: Altura 1.18” (30mm), componentes em ambos os lados
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