Descrição
Dell: A9781929
| INFORMAÇÕES DO PRODUTO | |||||
| Tipo: | Memória Proprietária | ||||
| Fabricante: | Kingston Technology | ||||
| Categoria: | Memórias | ||||
| Código de Produto: | Código UPC | Peso do Produto | Peso do Produto no Blister | Dimensões do Produto
(larg. x alt. x espessura) |
Dimensões do Produto na embalagem
(larg. x alt. x espessura) |
| KTD-PE426/32G | 740617273618 | 17,6g | 56,2g | 133,35 x 31,25 x 2,1 | 184,1 x 129,54 x 14 |
| Descrição:
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As Memórias KTD da Kingston são projetadas para garantir 100% de compatibilidade com sistemas especificos. Além disso são produzidas somente com componentes da mais alta qualidade e todos os módulos são testados antes de sair da fábrica, o que garante o máximo de desempenho com a reconhecida confiabilidade da Kingston, reforçada pela garantia vitalícia destes produtos. | ||||
| Descrição Resumida: | A memória proprietária da Kingston® para notebook é projetada para garantir 100% de compatibilidade com sistemas específicos. | ||||
| Destaques: | Compatível com: Dell.
Para consultar compatibilidade com seu sistema consulte o configurador de memória: http://www.kingston.com/br/memory/search/options/ |
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| Capacidade: | 32GB | ||||
| Velocidade da Frequência: | 2666MHz | ||||
| Cor: | Padrão | ||||
| Garantia: | Vitalícia | ||||
| Suporte Técnico Local: | Gratuito. 0800 810 5464 | ||||
| Preço Revenda: | Campo a ser preenchido pelo distribuidor | ||||
| Características / Benefícios: | DDR4
VDD = 1,2V VPP = 2,5V VDDSPD = 2,25V a 2,75V Funcionalidade e operações obedecem com o a ficha técnica DDR4 SDRAM 16 bancos internos Bank Grouping aplicado, o acesso a latência CAS a CAS para bancos no mesmo grupo ou em grupos diferentes está disponível. Taxas de transferência de dados: PC4-2666, PC4-2400, PC4-1866, PC4-1600 Data Strobe Diferencial Bi-direcional Pre-fetch de 8 bit BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF) Suporte a detecção e correção de erros ECC Terminação na placa utilizando o pino ODT Sensor de temperatura com SPD integrado Em conformidade com RoHS Direcionamento por DRAM suportado Escrita CRC suportada em todas as velocidades Modo de paridade CA suportado |
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| Especificações: | CL(IDD) 19 ciclos
Row Cycle Time (tRCmin) 45,75ns (min.) Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.) Row Active Time (tRASmin) 32ns (min.) Consumo (operando) TBD W* UL Rating 94 V – 0 Temperatura de Operação 0oC a +85oC Temperatura de Armazenamento -55oC a +100oC *O consumo de energia irá variar de acordo com o uso da memória RAM. |
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